عنوان انگلیسی مقاله: New CMOS Inverter-Based Voltage Multipliers
عنوان فارسی مقاله: ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلی جدید
فرمت فایل ترجمه شده: فایل Word ورد 2007 یا 2003 (Docx یا Doc) قابل ویرایش
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 15
_______________________________________
چکیده
چهار
ضرب کننده ولتاژ بر مبنای اینورتر CMOS جدید تشکیل شده از ترانزیستورهای
عبور PMOS/NMOS، مدارات اینورتر، و خازن ها، در این مقاله ارایه شده اند.
ضرب کننده های ولتاژ ارائه شده که عملیات یکسوسازها و پمپ های شارژ را با
هم انجام می دهند، بازده تبدیل توان را بالا برده و تعداد مولفه های واکنشی
(غیر فعال یا پسیو) را کاهش می دهد، بنابر این برای ساخت آی سی مناسب می
باشند. ضرب کننده ولتاژ با ولتاژ خروجی مثبت، توسط فرآیندهای TSMC 0. 35μm
CMOS 2P4M پیاده سازی شده، و نتایج آزمایشی نیز مطابقت خوبی با تجزیه و
تحلیل های نظری داشتند. سطح تراشه بدون پد، به ازای ولتاژ خروجی مثبت
پنج مرحله ای ضرب کننده ولتاژ، تنها 1. 75×1. 32 mm2 می باشد.