پایان نامه خواص الکتریکی نانولوله های کربنی

• پایان نامه جهت اخذ درجه کارشناسی
• عنوان کامل: خواص الکتریکی نانولوله های کربنی
• دسته: مهندسی برق
• فرمت فایل: WORD (قابل ویرایش)
• تعداد صفحات: 82
• جهت مشاهده فهرست مطالب این پایان نامه اینجا کلیک نمایید

مقدمه

پس از کشف نانولوله های کربنی توسط ایجیما و همکارانش بررسی های بسیار زیادی بر روی این ساختارها در سایر علوم انجام شده است. این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان داده اند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم و نحوه-ی توزیع جریان در ترانزیستورهای اثر میدانی را در شرایط دمایی و میدان های مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده های کامپوتری از اهمیت ویژه ای برخوردار است، انتخاب نانولوله ای که تحرک پذیری بالایی داشته باشد بسیار مهم است. نتایج بررسی ها نشان می دهد تحرک پذیری الکترون در نانولوله های کربنی متفاوت به ازای میدان های مختلفی که در طول نانولوله ها اعمال شود، مقدار بیشینه ای را خواهد گرفت. بنا بر این در طراحی ترانزیستورها با توجه به مشخصه های هندسی ترانزیستور و اختلاف پتانسیلی که بین چشمه و دررو آن اعمال می شود باید نانولوله ای را انتخاب کرد که تحرک پذیری مناسبی داشته باشد.

واژه های کلیدی

نانولوله کربنی، ترانزیستور اثر میدانی، مدل ثابت نیرو، تحرک پذیری الکترون

اطلاعات فایل

• فرمت: zip
• حجم: 3.87 مگابایت
• شماره ثبت: 806

مقالات مشابه

بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی

عنوان رساله (پایان نامه): بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی فرمت: ورد تعداد صفحات: 82 صفحه فهرست مطالب مقدمه. 1 فصل 1. 3 مقدمه ای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربردهای آن. 3 1-1 مقدمه. 3 1-2 گونه های مختلف کربن در طبیعت.. 4 1-2-1 کربن بی شکل. 4 1-2-2 الماس... 4 1-2-3 گرافیت.. 5 1-2-4 فلورن و نانو لوله های کربنی.. 5 1-3 ترانزیستورهای اثر میدانی فلز- اکسید – نیمرسانا و ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله ی کربنی.. 8 فصل 2. 11 بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولوله های کربنی.. 11 2-1 مقدمه. ...

عنوان پایان نامه : بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی-8573 –…

عنوان پایان نامه: بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی قالب بندی: word 2003 شرح مختصر: با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده¬ای بالا رفته است. گوردن مور معاون ارشد شرکت اینتل در سال 1965 نظریه¬ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر 18 ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می¬رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می¬شود . این کوچک شدگی نگرانی¬هایی را به وجود آورده است. بر ...